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ESH3C-E3/9AT

ESH3C-E3/9AT

僅供參考

型號 ESH3C-E3/9AT
PNEDA編號 ESH3C-E3-9AT
描述 DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,592
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 22 - 十一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ESH3C-E3/9AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ESH3C-E3/9AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ESH3C-E3/9AT, ESH3C-E3/9AT數據表 (總頁數: 5, 大小: 88.03 KB)
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ESH3C-E3/9AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)40ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 150V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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520V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

95ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 520V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

50A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

120µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

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