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ESH3C-M3/57T

ESH3C-M3/57T

僅供參考

型號 ESH3C-M3/57T
PNEDA編號 ESH3C-M3-57T
描述 DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ESH3C-M3/57T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ESH3C-M3/57T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ESH3C-M3/57T, ESH3C-M3/57T數據表 (總頁數: 5, 大小: 87.56 KB)
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ESH3C-M3/57T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)40ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 150V
電容@ Vr,F70pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

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