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F1235R12KT4GBOSA1

F1235R12KT4GBOSA1

僅供參考

型號 F1235R12KT4GBOSA1
PNEDA編號 F1235R12KT4GBOSA1
描述 IGBT F1235R12KT4GBOSA1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,202
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

F1235R12KT4GBOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號F1235R12KT4GBOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
F1235R12KT4GBOSA1, F1235R12KT4GBOSA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 523.31 KB)
PDFF1235R12KT4GBOSA1數據表 封面
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F1235R12KT4GBOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)35A
功率-最大210W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 35A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce2nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

14.7nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

23nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

357W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

29nF @ 10V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

No

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