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F800BJHEPTTLT6

F800BJHEPTTLT6

僅供參考

型號 F800BJHEPTTLT6
PNEDA編號 F800BJHEPTTLT6
描述 IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
制造商 Sharp Microelectronics
單價 請求報價
庫存 3,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

F800BJHEPTTLT6資源

品牌 Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號F800BJHEPTTLT6
類別半導體內存IC內存

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F800BJHEPTTLT6規格

制造商Sharp Microelectronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - Boot Block
內存大小8Mb (1M x 8, 512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁90ns
訪問時間90ns
電壓-供電-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (256 x 8 x 2)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

350ns

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

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Through Hole

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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