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FCA47N60

FCA47N60

僅供參考

型號 FCA47N60
PNEDA編號 FCA47N60
描述 MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCA47N60資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCA47N60
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCA47N60, FCA47N60數據表 (總頁數: 8, 大小: 3,231.19 KB)
PDFFCA47N60-F109數據表 封面
FCA47N60-F109數據表 頁面 2 FCA47N60-F109數據表 頁面 3 FCA47N60-F109數據表 頁面 4 FCA47N60-F109數據表 頁面 5 FCA47N60-F109數據表 頁面 6 FCA47N60-F109數據表 頁面 7 FCA47N60-F109數據表 頁面 8

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FCA47N60規格

制造商ON Semiconductor
系列SuperFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)47A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs270nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)417W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PN
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.35W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

LPTS

包裝/箱

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IPP530N15N3GXKSA1

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

887pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

SOT-523

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制造商

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

92mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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