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FCH040N65S3-F155

FCH040N65S3-F155

僅供參考

型號 FCH040N65S3-F155
PNEDA編號 FCH040N65S3-F155
描述 MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 8 - 一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCH040N65S3-F155資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCH040N65S3-F155
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCH040N65S3-F155, FCH040N65S3-F155數據表 (總頁數: 9, 大小: 507.75 KB)
PDFFCH040N65S3-F155數據表 封面
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FCH040N65S3-F155規格

制造商ON Semiconductor
系列SuperFET® III
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)65A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 6.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs136nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4740pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)417W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

1.9W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

142nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5337pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 19.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4800pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 6.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(最大)

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