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FCH104N60F

FCH104N60F

僅供參考

型號 FCH104N60F
PNEDA編號 FCH104N60F
描述 MOSFET N-CH 600V 37A TO-247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCH104N60F資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCH104N60F
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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FCH104N60F規格

制造商ON Semiconductor
系列HiPerFET™, Polar™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)37A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs104mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs139nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5950pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)357W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.8mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

124nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3405pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta), 19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

582pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 15W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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