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FCP170N60

FCP170N60

僅供參考

型號 FCP170N60
PNEDA編號 FCP170N60
描述 MOSFET N-CH 600V 22A TO220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCP170N60資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCP170N60
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCP170N60, FCP170N60數據表 (總頁數: 10, 大小: 809.64 KB)
PDFFCP170N60數據表 封面
FCP170N60數據表 頁面 2 FCP170N60數據表 頁面 3 FCP170N60數據表 頁面 4 FCP170N60數據表 頁面 5 FCP170N60數據表 頁面 6 FCP170N60數據表 頁面 7 FCP170N60數據表 頁面 8 FCP170N60數據表 頁面 9 FCP170N60數據表 頁面 10

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FCP170N60規格

制造商ON Semiconductor
系列SuperFET® II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs170mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs55nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2860pF @ 380V
FET功能-
功耗(最大值)227W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.9mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4234pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

695W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

315pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.62nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

59.76pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

310mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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