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FCP850N80Z

FCP850N80Z

僅供參考

型號 FCP850N80Z
PNEDA編號 FCP850N80Z
描述 MOSFET N-CH 800V 8A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCP850N80Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCP850N80Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCP850N80Z, FCP850N80Z數據表 (總頁數: 10, 大小: 663.28 KB)
PDFFCP850N80Z數據表 封面
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FCP850N80Z規格

制造商ON Semiconductor
系列SuperFET® II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs850mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 600µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1315pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)136W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

57A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.2mOhm @ 28.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 650µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta), 121A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

79nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4456pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 158W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

280W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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