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FCP9N60N

FCP9N60N

僅供參考

型號 FCP9N60N
PNEDA編號 FCP9N60N
描述 MOSFET N-CH 600V 9A TO220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 27 - 一月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCP9N60N資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCP9N60N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCP9N60N, FCP9N60N數據表 (總頁數: 12, 大小: 755.78 KB)
PDFFCPF9N60NTYDTU數據表 封面
FCPF9N60NTYDTU數據表 頁面 2 FCPF9N60NTYDTU數據表 頁面 3 FCPF9N60NTYDTU數據表 頁面 4 FCPF9N60NTYDTU數據表 頁面 5 FCPF9N60NTYDTU數據表 頁面 6 FCPF9N60NTYDTU數據表 頁面 7 FCPF9N60NTYDTU數據表 頁面 8 FCPF9N60NTYDTU數據表 頁面 9 FCPF9N60NTYDTU數據表 頁面 10 FCPF9N60NTYDTU數據表 頁面 11

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FCP9N60N規格

制造商ON Semiconductor
系列SuperMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1240pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)83.3W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.25Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1248pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

89W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

213mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4355pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

380nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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46A (Ta), 375A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1mOhm @ 160A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

330nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

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