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FCPF13N60NT

FCPF13N60NT

僅供參考

型號 FCPF13N60NT
PNEDA編號 FCPF13N60NT
描述 MOSFET N-CH 600V 13A TO220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCPF13N60NT資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCPF13N60NT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCPF13N60NT, FCPF13N60NT數據表 (總頁數: 12, 大小: 788.38 KB)
PDFFCP13N60N數據表 封面
FCP13N60N數據表 頁面 2 FCP13N60N數據表 頁面 3 FCP13N60N數據表 頁面 4 FCP13N60N數據表 頁面 5 FCP13N60N數據表 頁面 6 FCP13N60N數據表 頁面 7 FCP13N60N數據表 頁面 8 FCP13N60N數據表 頁面 9 FCP13N60N數據表 頁面 10 FCP13N60N數據表 頁面 11

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FCPF13N60NT規格

制造商ON Semiconductor
系列SuperMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs258mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39.5nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1765pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)33.8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

120V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 83µA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4310pF @ 60V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1025pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

270mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

36.3pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

280mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

705pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V, 15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.9mOhm @ 50A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2950pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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