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FCPF190N60E

FCPF190N60E

僅供參考

型號 FCPF190N60E
PNEDA編號 FCPF190N60E
描述 MOSFET N-CH 600V TO-220-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCPF190N60E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCPF190N60E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCPF190N60E, FCPF190N60E數據表 (總頁數: 11, 大小: 807.45 KB)
PDFFCP190N60E數據表 封面
FCP190N60E數據表 頁面 2 FCP190N60E數據表 頁面 3 FCP190N60E數據表 頁面 4 FCP190N60E數據表 頁面 5 FCP190N60E數據表 頁面 6 FCP190N60E數據表 頁面 7 FCP190N60E數據表 頁面 8 FCP190N60E數據表 頁面 9 FCP190N60E數據表 頁面 10 FCP190N60E數據表 頁面 11

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FCPF190N60E規格

制造商ON Semiconductor
系列SuperFET® II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs82nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3175pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)39W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 320µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1080pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

120W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-HDSOP-10-1

包裝/箱

10-PowerSOP Module

HUFA76443S3S

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

UltraFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

129nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4115pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

260W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

CSD19533Q5A

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制造商

系列

NexFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.4mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2670pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 96W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-VSONP (5x6)

包裝/箱

8-PowerTDFN

IRFR120ZTR

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

13V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 900mA, 13V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 70µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

178pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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