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FD200R12PT4B6BOSA1

FD200R12PT4B6BOSA1

僅供參考

型號 FD200R12PT4B6BOSA1
PNEDA編號 FD200R12PT4B6BOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 200A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FD200R12PT4B6BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FD200R12PT4B6BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FD200R12PT4B6BOSA1, FD200R12PT4B6BOSA1數據表 (總頁數: 10, 大小: 828.67 KB)
PDFFD200R12PT4B6BOSA1數據表 封面
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FD200R12PT4B6BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)300A
功率-最大1100W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)15µA
輸入電容(Cies)@ Vce12.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 90A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.8nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

INT-A-PAK (3 + 4)

供應商設備包裝

INT-A-PAK

制造商

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

285W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

430W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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