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FD650R17IE4BOSA2

FD650R17IE4BOSA2

僅供參考

型號 FD650R17IE4BOSA2
PNEDA編號 FD650R17IE4BOSA2
描述 MODULE IGBT PRIME2-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FD650R17IE4BOSA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FD650R17IE4BOSA2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FD650R17IE4BOSA2規格

制造商Infineon Technologies
系列PrimePack™2
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)930A
功率-最大4150W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 650A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce54nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

1250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

23.3nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.45nF @ 25V

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Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 800A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

56nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

2000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

15nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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112A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 62A

當前-集電極截止(最大值)

275µA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.01nF @ 25V

輸入

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