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FD800R17HP4KB2BOSA2

FD800R17HP4KB2BOSA2

僅供參考

型號 FD800R17HP4KB2BOSA2
PNEDA編號 FD800R17HP4KB2BOSA2
描述 IGBT MODULE VCES 1700V 800A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FD800R17HP4KB2BOSA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FD800R17HP4KB2BOSA2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FD800R17HP4KB2BOSA2, FD800R17HP4KB2BOSA2數據表 (總頁數: 12, 大小: 656.09 KB)
PDFFD800R17HP4KB2BOSA2數據表 封面
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FD800R17HP4KB2BOSA2規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Single Chopper
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)800A
功率-最大5200W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.25V @ 15V, 800A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce65nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

20nF @ 10V

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Standard

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No

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2.8V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.056nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

27nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

23nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

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Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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