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FDA69N25

FDA69N25

僅供參考

型號 FDA69N25
PNEDA編號 FDA69N25
描述 MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDA69N25資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDA69N25
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDA69N25, FDA69N25數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,157.8 KB)
PDFFDA69N25數據表 封面
FDA69N25數據表 頁面 2 FDA69N25數據表 頁面 3 FDA69N25數據表 頁面 4 FDA69N25數據表 頁面 5 FDA69N25數據表 頁面 6 FDA69N25數據表 頁面 7 FDA69N25數據表 頁面 8 FDA69N25數據表 頁面 9 FDA69N25數據表 頁面 10

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FDA69N25規格

制造商ON Semiconductor
系列UniFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)69A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs41mOhm @ 34.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4640pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)480W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PN
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 56A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 80µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

196nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9417pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1874pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

135W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.6A (Ta), 58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1456pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

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