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FDB7030L

FDB7030L

僅供參考

型號 FDB7030L
PNEDA編號 FDB7030L
描述 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDB7030L資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDB7030L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDB7030L, FDB7030L數據表 (總頁數: 5, 大小: 110.49 KB)
PDFFDB7030L_L86Z數據表 封面
FDB7030L_L86Z數據表 頁面 2 FDB7030L_L86Z數據表 頁面 3 FDB7030L_L86Z數據表 頁面 4 FDB7030L_L86Z數據表 頁面 5

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FDB7030L規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2440pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)68W (Tc)
工作溫度-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263AB
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 220mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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860mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

290mW (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2740pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

937pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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