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FDC610PZ

FDC610PZ

僅供參考

型號 FDC610PZ
PNEDA編號 FDC610PZ
描述 MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC610PZ資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC610PZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDC610PZ, FDC610PZ數據表 (總頁數: 6, 大小: 442.91 KB)
PDFFDC610PZ數據表 封面
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FDC610PZ規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1005pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SuperSOT™-6
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

183nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 25A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7973pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

238W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

594.3pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta)

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1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.85nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

289pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

395mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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