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FDC6318P

FDC6318P

僅供參考

型號 FDC6318P
PNEDA編號 FDC6318P
描述 MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 23,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC6318P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC6318P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDC6318P, FDC6318P數據表 (總頁數: 7, 大小: 281.5 KB)
PDFFDC6318P數據表 封面
FDC6318P數據表 頁面 2 FDC6318P數據表 頁面 3 FDC6318P數據表 頁面 4 FDC6318P數據表 頁面 5 FDC6318P數據表 頁面 6 FDC6318P數據表 頁面 7

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FDC6318P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds455pF @ 6V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A, 7.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 20V

功率-最大

3W, 3.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15.5A (Ta), 68A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1440pF @ 25V

功率-最大

3W (Ta), 57.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.8A (Ta), 27A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

325pF @ 25V

功率-最大

3.1W (Ta), 23W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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