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FDC633N

FDC633N

僅供參考

型號 FDC633N
PNEDA編號 FDC633N
描述 MOSFET N-CH 30V 5.2A SSOT-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,402
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC633N資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC633N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDC633N, FDC633N數據表 (總頁數: 5, 大小: 285.54 KB)
PDFFDC633N_F095數據表 封面
FDC633N_F095數據表 頁面 2 FDC633N_F095數據表 頁面 3 FDC633N_F095數據表 頁面 4 FDC633N_F095數據表 頁面 5

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FDC633N規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds538pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SuperSOT™-6
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

560mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

IPD90N10S4L06ATMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO252-3-313

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

177nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

890W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-268

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

制造商

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系列

HiPerFET™, Polar3™

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 3.5A, 1.8V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

151pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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