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FDC6392S

FDC6392S

僅供參考

型號 FDC6392S
PNEDA編號 FDC6392S
描述 MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC6392S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC6392S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDC6392S, FDC6392S數據表 (總頁數: 8, 大小: 309.63 KB)
PDFFDC6392S數據表 封面
FDC6392S數據表 頁面 2 FDC6392S數據表 頁面 3 FDC6392S數據表 頁面 4 FDC6392S數據表 頁面 5 FDC6392S數據表 頁面 6 FDC6392S數據表 頁面 7 FDC6392S數據表 頁面 8

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FDC6392S規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.2nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds369pF @ 10V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)960mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SuperSOT™-6
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1311pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

LFPAK56, Power-SO8

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 18.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

144nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7535pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2320pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

240W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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6.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

139nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

214W (Tc)

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