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FDC699P

FDC699P

僅供參考

型號 FDC699P
PNEDA編號 FDC699P
描述 MOSFET P-CH 20V 7A SSOT-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC699P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC699P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDC699P, FDC699P數據表 (總頁數: 6, 大小: 162.45 KB)
PDFFDC699P_F077數據表 封面
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FDC699P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2640pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SuperSOT™-6 FLMP
包裝/箱6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

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ON Semiconductor

系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.95A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SOIC

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMTH3004LPSQ-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta), 145A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43.7nC @ 15V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2370pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerDI5060-8

包裝/箱

8-PowerTDFN

IRF3709ZL

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

87A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2130pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

320mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

24pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5962pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

194W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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