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FDD044AN03L

FDD044AN03L

僅供參考

型號 FDD044AN03L
PNEDA編號 FDD044AN03L
描述 MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD044AN03L資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD044AN03L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDD044AN03L, FDD044AN03L數據表 (總頁數: 11, 大小: 290.68 KB)
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FDD044AN03L規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs118nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5160pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)160W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252AA
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TSMT6 (SC-95)

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

CSD17576Q5B

Texas Instruments

制造商

系列

NexFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4430pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-VSONP (5x6)

包裝/箱

8-PowerTDFN

FCH165N65S3R0-F155

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

SuperFET® III

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

154W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247-3

包裝/箱

TO-247-3

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

349W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

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