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FDD14AN06LA0-F085

FDD14AN06LA0-F085

僅供參考

型號 FDD14AN06LA0-F085
PNEDA編號 FDD14AN06LA0-F085
描述 MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD14AN06LA0-F085資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD14AN06LA0-F085
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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FDD14AN06LA0-F085規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.5A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2810pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252AA
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

750mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17Ohm @ 375mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 25V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta), 13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

89mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

833pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 62A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

146nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3247pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5345pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

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