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FDD1600N10ALZD

FDD1600N10ALZD

僅供參考

型號 FDD1600N10ALZD
PNEDA編號 FDD1600N10ALZD
描述 MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD1600N10ALZD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD1600N10ALZD
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDD1600N10ALZD, FDD1600N10ALZD數據表 (總頁數: 14, 大小: 947.15 KB)
PDFFDD1600N10ALZD數據表 封面
FDD1600N10ALZD數據表 頁面 2 FDD1600N10ALZD數據表 頁面 3 FDD1600N10ALZD數據表 頁面 4 FDD1600N10ALZD數據表 頁面 5 FDD1600N10ALZD數據表 頁面 6 FDD1600N10ALZD數據表 頁面 7 FDD1600N10ALZD數據表 頁面 8 FDD1600N10ALZD數據表 頁面 9 FDD1600N10ALZD數據表 頁面 10 FDD1600N10ALZD數據表 頁面 11

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FDD1600N10ALZD規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.61nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds225pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)14.9W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252-4L
包裝/箱TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 67A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.6mOhm @ 67A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2090pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta), 62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta), 45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 36µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

258nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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