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FDD306P

FDD306P

僅供參考

型號 FDD306P
PNEDA編號 FDD306P
描述 MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 24,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD306P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD306P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDD306P, FDD306P數據表 (總頁數: 7, 大小: 768.49 KB)
PDFFDD306P數據表 封面
FDD306P數據表 頁面 2 FDD306P數據表 頁面 3 FDD306P數據表 頁面 4 FDD306P數據表 頁面 5 FDD306P數據表 頁面 6 FDD306P數據表 頁面 7

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FDD306P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1290pF @ 6V
FET功能-
功耗(最大值)52W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

CPT3

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NP22N055SLE-E1-AZ

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

IRFH5210TR2PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.9mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2570pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-PQFN (5x6)

包裝/箱

8-PowerVDFN

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 110A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11360pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

370W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPN60R1K0CEATMA1

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制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ CE

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Tc)

工作溫度

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