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FDD7N60NZTM

FDD7N60NZTM

僅供參考

型號 FDD7N60NZTM
PNEDA編號 FDD7N60NZTM
描述 MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD7N60NZTM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD7N60NZTM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDD7N60NZTM, FDD7N60NZTM數據表 (總頁數: 11, 大小: 773.49 KB)
PDFFDU7N60NZTU數據表 封面
FDU7N60NZTU數據表 頁面 2 FDU7N60NZTU數據表 頁面 3 FDU7N60NZTU數據表 頁面 4 FDU7N60NZTU數據表 頁面 5 FDU7N60NZTU數據表 頁面 6 FDU7N60NZTU數據表 頁面 7 FDU7N60NZTU數據表 頁面 8 FDU7N60NZTU數據表 頁面 9 FDU7N60NZTU數據表 頁面 10 FDU7N60NZTU數據表 頁面 11

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FDD7N60NZTM規格

制造商ON Semiconductor
系列UniFET-II™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds730pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Ta), 423A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.65mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 750µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

285nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22610pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4633pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

211W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1091pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

88A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5150pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

850mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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