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FDD8N50NZTM

FDD8N50NZTM

僅供參考

型號 FDD8N50NZTM
PNEDA編號 FDD8N50NZTM
描述 MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD8N50NZTM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD8N50NZTM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDD8N50NZTM, FDD8N50NZTM數據表 (總頁數: 10, 大小: 717.36 KB)
PDFFDD8N50NZTM數據表 封面
FDD8N50NZTM數據表 頁面 2 FDD8N50NZTM數據表 頁面 3 FDD8N50NZTM數據表 頁面 4 FDD8N50NZTM數據表 頁面 5 FDD8N50NZTM數據表 頁面 6 FDD8N50NZTM數據表 頁面 7 FDD8N50NZTM數據表 頁面 8 FDD8N50NZTM數據表 頁面 9 FDD8N50NZTM數據表 頁面 10

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FDD8N50NZTM規格

制造商ON Semiconductor
系列UniFET-II™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs850mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds735pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Ta), 14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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30V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

107A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

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