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FDG6303N-F169

FDG6303N-F169

僅供參考

型號 FDG6303N-F169
PNEDA編號 FDG6303N-F169
描述 MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG6303N-F169資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG6303N-F169
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDG6303N-F169, FDG6303N-F169數據表 (總頁數: 7, 大小: 528.3 KB)
PDFFDG6303N-F169數據表 封面
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FDG6303N-F169規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 10V
功率-最大300mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88 (SC-70-6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 25V

功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

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7200pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

74mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

634pF @ 40V

功率-最大

900mW

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tj)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

Vgs(th)(最大)@ ID

5.55V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1840pF @ 800V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

0.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 3.5V

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