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FDG6308P

FDG6308P

僅供參考

型號 FDG6308P
PNEDA編號 FDG6308P
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 8 - 一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG6308P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG6308P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDG6308P, FDG6308P數據表 (總頁數: 6, 大小: 182.71 KB)
PDFFDG6308P數據表 封面
FDG6308P數據表 頁面 2 FDG6308P數據表 頁面 3 FDG6308P數據表 頁面 4 FDG6308P數據表 頁面 5 FDG6308P數據表 頁面 6

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FDG6308P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)600mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds153pF @ 10V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88 (SC-70-6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1240pF @ 30V

功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

650mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 15V

功率-最大

290mW

工作溫度

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

123mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 15V

功率-最大

650mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

450V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 25V

功率-最大

1.3W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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