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FDG6318PZ

FDG6318PZ

僅供參考

型號 FDG6318PZ
PNEDA編號 FDG6318PZ
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG6318PZ資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG6318PZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDG6318PZ, FDG6318PZ數據表 (總頁數: 11, 大小: 279.99 KB)
PDFFDG6318PZ數據表 封面
FDG6318PZ數據表 頁面 2 FDG6318PZ數據表 頁面 3 FDG6318PZ數據表 頁面 4 FDG6318PZ數據表 頁面 5 FDG6318PZ數據表 頁面 6 FDG6318PZ數據表 頁面 7 FDG6318PZ數據表 頁面 8 FDG6318PZ數據表 頁面 9 FDG6318PZ數據表 頁面 10 FDG6318PZ數據表 頁面 11

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FDG6318PZ規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs780mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.62nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds85.4pF @ 10V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88 (SC-70-6)

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A, 570mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW, 83mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

6-TSOP

IRF5852TR

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 15V

功率-最大

960mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

6-TSOP

TSM3911DCX6 RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.23nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

882.51pF @ 6V

功率-最大

1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6

供應商設備包裝

SOT-26

ECH8619-TL-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A, 2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

93mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 20V

功率-最大

1.5W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 25V

功率-最大

20W

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