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FDMA1027P

FDMA1027P

僅供參考

型號 FDMA1027P
PNEDA編號 FDMA1027P
描述 MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMA1027P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMA1027P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMA1027P, FDMA1027P數據表 (總頁數: 9, 大小: 521.67 KB)
PDFFDMA1027P數據表 封面
FDMA1027P數據表 頁面 2 FDMA1027P數據表 頁面 3 FDMA1027P數據表 頁面 4 FDMA1027P數據表 頁面 5 FDMA1027P數據表 頁面 6 FDMA1027P數據表 頁面 7 FDMA1027P數據表 頁面 8 FDMA1027P數據表 頁面 9

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FDMA1027P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds435pF @ 10V
功率-最大800mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-MicroFET (2x2)

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Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 20V

功率-最大

17.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerPAK® 1212-8 Dual

供應商設備包裝

PowerPAK® 1212-8 Dual

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc), 45A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

809pF @ 20V, 1451pF @ 20V

功率-最大

17W, 48W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerPAK® SO-8

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PowerPAK® SO-8

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制造商

Microchip Technology

系列

-

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 25V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 10V

功率-最大

450mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

455pF @ 10V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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