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FDMB3800N

FDMB3800N

僅供參考

型號 FDMB3800N
PNEDA編號 FDMB3800N
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 78,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMB3800N資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMB3800N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMB3800N, FDMB3800N數據表 (總頁數: 7, 大小: 493.88 KB)
PDFFDMB3800N數據表 封面
FDMB3800N數據表 頁面 2 FDMB3800N數據表 頁面 3 FDMB3800N數據表 頁面 4 FDMB3800N數據表 頁面 5 FDMB3800N數據表 頁面 6 FDMB3800N數據表 頁面 7

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FDMB3800N規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.6nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds465pF @ 15V
功率-最大750mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-MLP, MicroFET (3x1.9)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 25V

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 30V

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 250MA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

268pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

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