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FDMC008N08C

FDMC008N08C

僅供參考

型號 FDMC008N08C
PNEDA編號 FDMC008N08C
描述 MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMC008N08C資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMC008N08C
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDMC008N08C, FDMC008N08C數據表 (總頁數: 9, 大小: 657.33 KB)
PDFFDMC008N08C數據表 封面
FDMC008N08C數據表 頁面 2 FDMC008N08C數據表 頁面 3 FDMC008N08C數據表 頁面 4 FDMC008N08C數據表 頁面 5 FDMC008N08C數據表 頁面 6 FDMC008N08C數據表 頁面 7 FDMC008N08C數據表 頁面 8 FDMC008N08C數據表 頁面 9

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FDMC008N08C規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)60A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.8mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 120µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2150pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)57W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PQFN (3.3x3.3), Power33
包裝/箱8-PowerWDFN

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

71A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 71A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

71nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

155W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FCPF380N65FL1

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1790pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

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