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FDMC6675BZ

FDMC6675BZ

僅供參考

型號 FDMC6675BZ
PNEDA編號 FDMC6675BZ
描述 MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 76,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMC6675BZ資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMC6675BZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDMC6675BZ, FDMC6675BZ數據表 (總頁數: 8, 大小: 199.04 KB)
PDFFDMC6675BZ數據表 封面
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FDMC6675BZ規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.5A (Ta), 20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs65nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2865pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.3W (Ta), 36W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-MLP (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerWDFN

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

89A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 170W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

435pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

84A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 84A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6650pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5117pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

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