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FDMC7672S

FDMC7672S

僅供參考

型號 FDMC7672S
PNEDA編號 FDMC7672S
描述 MOSFET N-CH 30V 8-MLP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 69,252
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMC7672S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMC7672S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDMC7672S, FDMC7672S數據表 (總頁數: 7, 大小: 313.63 KB)
PDFFDMC7672S-F126數據表 封面
FDMC7672S-F126數據表 頁面 2 FDMC7672S-F126數據表 頁面 3 FDMC7672S-F126數據表 頁面 4 FDMC7672S-F126數據表 頁面 5 FDMC7672S-F126數據表 頁面 6 FDMC7672S-F126數據表 頁面 7

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FDMC7672S規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®, SyncFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14.8A (Ta), 18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2520pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.3W (Ta), 36W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-MLP (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerWDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

460mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

225nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

695W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-PowerTDFN

IRFU3607PBF

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3070pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

857pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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