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FDMD82100

FDMD82100

僅供參考

型號 FDMD82100
PNEDA編號 FDMD82100
描述 MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMD82100資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMD82100
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMD82100, FDMD82100數據表 (總頁數: 8, 大小: 321.21 KB)
PDFFDMD82100數據表 封面
FDMD82100數據表 頁面 2 FDMD82100數據表 頁面 3 FDMD82100數據表 頁面 4 FDMD82100數據表 頁面 5 FDMD82100數據表 頁面 6 FDMD82100數據表 頁面 7 FDMD82100數據表 頁面 8

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FDMD82100規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs19mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1070pF @ 50V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱12-PowerWDFN
供應商設備包裝12-Power3.3x5

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18.5A (Ta), 49A (Tc), 27A (Ta), 85A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 20A, 10V, 2.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V, 40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 15V, 1890pF @ 15V

功率-最大

3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

857pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

942pF @ 50V

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