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FDMS86150

FDMS86150

僅供參考

型號 FDMS86150
PNEDA編號 FDMS86150
描述 MOSFET N CH 100V 16A POWER56
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMS86150資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMS86150
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDMS86150, FDMS86150數據表 (總頁數: 8, 大小: 355.99 KB)
PDFFDMS86150數據表 封面
FDMS86150數據表 頁面 2 FDMS86150數據表 頁面 3 FDMS86150數據表 頁面 4 FDMS86150數據表 頁面 5 FDMS86150數據表 頁面 6 FDMS86150數據表 頁面 7 FDMS86150數據表 頁面 8

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FDMS86150規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs62nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4065pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)2.7W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Power56
包裝/箱8-PowerTDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

902.7pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

820mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Ta), 18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2045pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

151W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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FET功能

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功耗(最大值)

40W (Tc)

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