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FDMS86300

FDMS86300

僅供參考

型號 FDMS86300
PNEDA編號 FDMS86300
描述 MOSFET N-CH 80V 19A POWER56
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMS86300資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMS86300
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDMS86300, FDMS86300數據表 (總頁數: 8, 大小: 455.9 KB)
PDFFDMS86300數據表 封面
FDMS86300數據表 頁面 2 FDMS86300數據表 頁面 3 FDMS86300數據表 頁面 4 FDMS86300數據表 頁面 5 FDMS86300數據表 頁面 6 FDMS86300數據表 頁面 7 FDMS86300數據表 頁面 8

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FDMS86300規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)19A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.9mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs86nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7082pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PQFN (5x6)
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.2W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5320pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 198W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+20V, -25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1685pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

550mW (Ta)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

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