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FDN339AN

FDN339AN

僅供參考

型號 FDN339AN
PNEDA編號 FDN339AN
描述 MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 549,162
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDN339AN資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDN339AN
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDN339AN, FDN339AN數據表 (總頁數: 5, 大小: 187.02 KB)
PDFFDN339AN數據表 封面
FDN339AN數據表 頁面 2 FDN339AN數據表 頁面 3 FDN339AN數據表 頁面 4 FDN339AN數據表 頁面 5

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FDN339AN規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds700pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SuperSOT-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

TSM10N60CI C0

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1738pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

ITO-220

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

制造商

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系列

HiPerFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

850V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

695W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3

制造商

IXYS

系列

HiPerFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

240W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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