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FDN5618P

FDN5618P

僅供參考

型號 FDN5618P
PNEDA編號 FDN5618P
描述 MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 1,710,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDN5618P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDN5618P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDN5618P, FDN5618P數據表 (總頁數: 5, 大小: 292.41 KB)
PDFFDN5618P數據表 封面
FDN5618P數據表 頁面 2 FDN5618P數據表 頁面 3 FDN5618P數據表 頁面 4 FDN5618P數據表 頁面 5

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FDN5618P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.25A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs170mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds430pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SuperSOT-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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