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FDP13AN06A0

FDP13AN06A0

僅供參考

型號 FDP13AN06A0
PNEDA編號 FDP13AN06A0
描述 MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDP13AN06A0資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDP13AN06A0
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDP13AN06A0, FDP13AN06A0數據表 (總頁數: 11, 大小: 300.08 KB)
PDFFDP13AN06A0數據表 封面
FDP13AN06A0數據表 頁面 2 FDP13AN06A0數據表 頁面 3 FDP13AN06A0數據表 頁面 4 FDP13AN06A0數據表 頁面 5 FDP13AN06A0數據表 頁面 6 FDP13AN06A0數據表 頁面 7 FDP13AN06A0數據表 頁面 8 FDP13AN06A0數據表 頁面 9 FDP13AN06A0數據表 頁面 10 FDP13AN06A0數據表 頁面 11

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FDP13AN06A0規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.9A (Ta), 62A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs13.5mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1350pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)115W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1890pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

885pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.9W (Ta), 15.6W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3110pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2453pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 185°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 128W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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