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FDPF7N50U

FDPF7N50U

僅供參考

型號 FDPF7N50U
PNEDA編號 FDPF7N50U
描述 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 16 - 十一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDPF7N50U資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDPF7N50U
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDPF7N50U, FDPF7N50U數據表 (總頁數: 8, 大小: 388.45 KB)
PDFFDPF7N50U數據表 封面
FDPF7N50U數據表 頁面 2 FDPF7N50U數據表 頁面 3 FDPF7N50U數據表 頁面 4 FDPF7N50U數據表 頁面 5 FDPF7N50U數據表 頁面 6 FDPF7N50U數據表 頁面 7 FDPF7N50U數據表 頁面 8

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FDPF7N50U規格

制造商ON Semiconductor
系列UniFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16.6nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds940pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)39W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.6A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-223

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

FDAF69N25

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

UniFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-3PF

包裝/箱

TO-3P-3 Full Pack

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 7V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 23A, 7V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

29.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2340pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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