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FDPF8N60ZUT

FDPF8N60ZUT

僅供參考

型號 FDPF8N60ZUT
PNEDA編號 FDPF8N60ZUT
描述 MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 14,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDPF8N60ZUT資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDPF8N60ZUT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDPF8N60ZUT, FDPF8N60ZUT數據表 (總頁數: 10, 大小: 700.33 KB)
PDFFDPF8N60ZUT數據表 封面
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FDPF8N60ZUT規格

制造商ON Semiconductor
系列UniFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.35Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1265pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)34.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2245pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1224pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.1mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4850pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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