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FDR8305N

FDR8305N

僅供參考

型號 FDR8305N
PNEDA編號 FDR8305N
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 12 - 二月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDR8305N資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDR8305N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDR8305N, FDR8305N數據表 (總頁數: 5, 大小: 162.09 KB)
PDFFDR8305N數據表 封面
FDR8305N數據表 頁面 2 FDR8305N數據表 頁面 3 FDR8305N數據表 頁面 4 FDR8305N數據表 頁面 5

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FDR8305N規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1600pF @ 10V
功率-最大800mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
供應商設備包裝SuperSOT™-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

139A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

390W

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2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 15V

功率-最大

1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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