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FDS3682

FDS3682

僅供參考

型號 FDS3682
PNEDA編號 FDS3682
描述 MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,384
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS3682資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS3682
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDS3682, FDS3682數據表 (總頁數: 11, 大小: 277.23 KB)
PDFFDS3682數據表 封面
FDS3682數據表 頁面 2 FDS3682數據表 頁面 3 FDS3682數據表 頁面 4 FDS3682數據表 頁面 5 FDS3682數據表 頁面 6 FDS3682數據表 頁面 7 FDS3682數據表 頁面 8 FDS3682數據表 頁面 9 FDS3682數據表 頁面 10 FDS3682數據表 頁面 11

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FDS3682規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

制造商

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系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTB30N20

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

81mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2335pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 214W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 1V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2120pF @ 15V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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4.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

-

工作溫度

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