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FDS6692A

FDS6692A

僅供參考

型號 FDS6692A
PNEDA編號 FDS6692A
描述 MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS6692A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS6692A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDS6692A, FDS6692A數據表 (總頁數: 9, 大小: 510 KB)
PDFFDS6692A數據表 封面
FDS6692A數據表 頁面 2 FDS6692A數據表 頁面 3 FDS6692A數據表 頁面 4 FDS6692A數據表 頁面 5 FDS6692A數據表 頁面 6 FDS6692A數據表 頁面 7 FDS6692A數據表 頁面 8 FDS6692A數據表 頁面 9

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FDS6692A規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1610pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.47W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.65mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 750µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

285nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22610pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

156W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22.2mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

+10V, -20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 10V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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