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FDS6982

FDS6982

僅供參考

型號 FDS6982
PNEDA編號 FDS6982
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $4.2706
250 ---------- $4.0704
500 ---------- $3.8702
1,000 ---------- $3.6700
2,500 ---------- $3.5032
5,000 ---------- $3.3364
庫存 23,267
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS6982資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS6982
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS6982, FDS6982數據表 (總頁數: 9, 大小: 133.4 KB)
PDFFDS6982數據表 封面
FDS6982數據表 頁面 2 FDS6982數據表 頁面 3 FDS6982數據表 頁面 4 FDS6982數據表 頁面 5 FDS6982數據表 頁面 6 FDS6982數據表 頁面 7 FDS6982數據表 頁面 8 FDS6982數據表 頁面 9

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FDS6982規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.3A, 8.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds760pF @ 10V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 10V

功率-最大

280mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.34A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 24V

功率-最大

730mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Renesas Electronics America

系列

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FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

SIL2301-TP

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制造商

Micro Commercial Co

系列

-

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 10V

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A, 18A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1605pF @ 15V

功率-最大

1W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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