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FDS7066N7

FDS7066N7

僅供參考

型號 FDS7066N7
PNEDA編號 FDS7066N7
描述 MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS7066N7資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS7066N7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDS7066N7, FDS7066N7數據表 (總頁數: 6, 大小: 180.39 KB)
PDFFDS7066N7數據表 封面
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FDS7066N7規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)23A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.5mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs69nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4973pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 630µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

151W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO247-3

包裝/箱

TO-247-3

制造商

IXYS

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5320pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

695W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

975pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

440mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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180mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

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功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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