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FDT434P

FDT434P

僅供參考

型號 FDT434P
PNEDA編號 FDT434P
描述 MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 10 - 一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDT434P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDT434P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDT434P, FDT434P數據表 (總頁數: 5, 大小: 416.09 KB)
PDFFDT434P數據表 封面
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FDT434P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1187pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223-4
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 840mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

229pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

205mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 630µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

231W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

68A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

118nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

450W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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